溅射原子在基片外面堆积成膜。与蒸发镀膜分歧，溅射镀膜不受膜材熔点的限定,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物资。溅射化合物膜可用反响溅射法，行将反响气体份子束内涵法普遍用于制作各类光集成器件和各类超晶格布局薄膜。
(O、N、HS、CH等)参加Ar气中,反响气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反响天生化合物（如氧化物、氮化物等）而堆积在基片上。
薄膜沉积的传统方法一直是热蒸发，或采用电阻加热蒸发源或采用电子束蒸发源。薄膜特性主要决定于沉积原子的能量，传统蒸发中原子的能量仅约0.1eV。如果蒸发沉积的原子在基底表面的迁移率低，则薄膜会含有微孔。当薄膜暴露于潮湿的空气时，这些微孔逐渐被水汽所填充。因而，折射率是蒸发材料在真空中的折射率，而不是暴露于潮湿空气中的材料折射率。
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